型号:

SIB412DK-T1-GE3

RoHS:无铅 / 符合
制造商:Vishay Siliconix描述:MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
SIB412DK-T1-GE3 PDF
标准包装 3,000
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 34 毫欧 @ 6.6A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 10.16nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds 535pF @ 10V
功率 - 最大 13W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 PowerPAK? SC-75-6L
供应商设备封装 PowerPAK? SC-75-6L 单
包装 带卷 (TR)
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